不同激发能量下通过拉曼光谱定量表征石墨烯中的缺陷
材料科学
2016-09-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对氩离子轰击且离子剂量递增的石墨烯样品进行了拉曼研究，从而能够可控地获得逐渐增加的缺陷数量。我们发现，对于给定的缺陷密度，D 峰与 G 峰的强度比强烈依赖于激光激发能量。我们量化了这一效应，并提出了一个简单的方程，用于在任何可见光激发能量下通过拉曼光谱测定石墨烯中的点缺陷密度。我们注意到，对于所有激发能量，当缺陷间距约为 3 nm 时，D 峰与 G 峰的强度比达到最大值。因此，一个给定的比值可能对应两种不同的缺陷密度，分别高于或低于该最大值。对 G 峰宽度及其随激发能量色散的分析解决了这一歧义。
引用
@article{arxiv.1105.0175,
title = {Quantifying defects in graphene via Raman spectroscopy at different excitation energies},
author = {L. G. Cançado and A. Jorio and E. H. Martins Ferreira and F. Stavale and C. A. Achete and R. B. Capaz and M. V. O. Moutinho and A. Lombardo and T. Kulmala and A. C. Ferrari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0175},
year = {2016}
}
备注
Fixed numerical factors in equations (5) and (6)