拉曼光谱探测氢化石墨烯的电子结构与结构演化
材料科学
2010-12-06 v2
摘要
利用多激发波长的拉曼光谱研究了氢化石墨烯的电子结构和结构演化。揭示了D模与G模积分强度比（ID/IG）随激发能量依赖的饱和效应，并将其进一步发展成为一种快速估算氢化石墨烯中缺陷间距和缺陷密度的方法。在低氢覆盖度下，化学吸附的H原子表现为sp2 C=C基体中的缺陷；而在高氢覆盖度下，sp3 C-H键形成聚并团簇，导致对sp2 C畴的限域效应。由不同氢覆盖度引起的电子结构变化通过D和2D带随激发能量依赖的红移得到证实。我们的结果为开发氢化石墨烯的应用，以及利用拉曼光谱作为快速测量缺陷密度的方法以进一步探索其他类型的石墨烯衍生物提供了有用的指导。
引用
@article{arxiv.1009.0091,
title = {Electronic Structure and Structural Evolutions of Hydrogenated Graphene Probed by Raman Spectroscopy},
author = {Zhiqiang Luo and Ting Yu and Zhenhua Ni and Sanhua Lim and Jingzhi Shang and Hailong Hu and Lei Liu and Zexiang Shen and Jianyi Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0091},
year = {2010}
}
备注
15 pages, 4 figures, 1 table