氢化石墨烯的构型与浓度依赖的电子性质
材料科学
2015-10-09 v1
摘要
采用第一性原理计算研究了氢化石墨烯的电子性质。几何结构、能带、电荷分布和态密度(DOS)强烈依赖于氢吸附原子的不同构型与浓度。在三类优化的周期构型中，仅在锯齿形体系中带隙可被H浓度显著调控。存在中带隙半导体、窄带隙半导体和无带隙体系。能带结构展现出丰富的特征，包括狄拉克锥结构的破坏或恢复、新形成的临界点、弱色散能带以及(C,H)相关的部分平带。轨道投影态密度由低能突出峰、δ函数样峰、不连续肩和对数发散峰所证实。态密度与空间电荷分布清楚地表明，C-C与C-H中的关键成键导致了这些多样化的性质。
引用
@article{arxiv.1510.02368,
title = {Configuration- and concentration-dependent electronic properties of hydrogenated graphene},
author = {Hao-Chun Huang and Shih-Yang Lin and Chung-Lin Wu and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.02368},
year = {2015}
}