吸附原子掺杂富集的原始石墨烯几何与电子性质：一种调控带隙的方法
介观与纳米尺度物理
2017-03-08 v1
摘要
我们研究了吸附原子浓度与分布如何影响石墨烯的几何与电子性质。我们的计算基于密度泛函理论下的第一性原理，揭示了各种类型的 -bonding。这种掺杂石墨烯材料的能带结构可通过采用角分辨光电子能谱(ARPES)测量电子能带结构、扫描隧道谱(STS)测量态密度(DOS)进行实验探索，两者均已在本文中计算并报道。我们的计算表明，此类吸附原子掺杂导致了狄拉克锥结构的破坏或出现。
引用
@article{arxiv.1703.02491,
title = {Adatom Doping-Enriched Geometric and Electronic Properties of Pristine Graphene: a Method to Modify the Band Gap},
author = {Ngoc Thanh Thuy Tran and Dipendra Dahal and Godfrey Gumbs and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02491},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 4 figures