硼氮掺杂石墨烯的电子性质：第一性原理研究
介观与纳米尺度物理
2012-07-31 v1
摘要
利用密度泛函理论研究硼(B)、氮(N)或B和N共掺杂对石墨烯的影响。能带结构和态密度计算表明：N掺杂（电子掺杂）使狄拉克点移到费米能级以下，并在高对称K点出现能隙；B掺杂（空穴掺杂）使狄拉克点移到费米能级以上并出现能隙；B和N共掺杂使价带和导带之间在费米能级处出现能隙，系统表现为窄带隙半导体。结果与现有实验发现吻合良好。
引用
@article{arxiv.1206.5718,
title = {Electronic Properties of Boron and Nitrogen doped graphene: A first principles study},
author = {Sugata Mukherjee and T. P. Kaloni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5718},
year = {2012}
}
备注
11 pages, 4 figures, 1 table, submitted to J. Nanopart. Res