氮或硼掺杂 BeO 单层的增强电子与光学响应：第一性原理计算
材料科学
2022-04-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本工作中，我们在密度泛函理论框架下研究了氮(N)或硼(B)掺杂 BeO 单层的电子与光学性质。已知 BeO 单层带隙较大，导致其在宽能量范围内作为光电子器件材料性能较差。利用替代式 N 或 B 掺杂原子，我们发现带隙可被调控且光学性质得以改善。在 N(B) 掺杂 BeO 单层中，费米能级略微穿过价带(导带)，形成简并半导体结构。因此 N 或 B 原子在费米能级附近产生新态，增加了可见光区的光学电导率。此外，我们还讨论了掺杂原子对电子结构、稳定性、色散能、态密度以及光学性质（如等离子体频率、激发谱、介电函数、静态介电常数和电子能量损失函数）的影响，并考虑了入射电场不同偏振方向的情形。
引用
@article{arxiv.2108.12912,
title = {Enhanced electronic and optical responses of Nitrogen- or Boron-doped BeO monolayer: First principle computation},
author = {Nzar Rauf Abdullah and Botan Jawdat Abdullah and Hunar Omar Rashid and Chi-Shung Tang and Andrei Manolescu and Vidar Gudmundsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.12912},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 13 figures