掺硼碳纳米管的能带结构
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们采用{ab initio}和自洽紧致束缚方法计算单壁半导体碳纳米管能带结构，掺杂硼的比例可达25%。除了费米能级进入价带之外，规则且周期性的p型掺杂导致在未掺杂管的带隙中形成一个可扩散的“接受器”-样能带。这是由于接受能级在硼原子处与脱离的碳π轨道叠加所致。不规则（随机）硼掺杂则导致接受器和未占据的碳态在费米边以上高度混合。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311169,
title = {Band structure of boron doped carbon nanotubes},
author = {Ludger Wirtz and Angel Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311169},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures