B/N 掺杂碳纳米管中随机异质结构
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
碳纳米管是一维且非常窄的材料，这一显著事实表明，在掺杂硼和氮后，微观掺杂不均匀性在碳纳米管中的重要性远大于 Bulk 半导体。我们考虑利用此类波动来创建有趣器件的可能性。通过自洽紧束缚法 (SCTB)，我们研究了重掺杂且掺杂比例严格等于的纳米管，揭示了类似随机量子点链或纳米尺度二极管级联结构的自发形成。我们也考虑真正孤立的杂质，揭示了束缚态尺寸和能量的简单尺度关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108174,
title = {Stochastic Heterostructures in B/N-Doped Carbon Nanotubes},
author = {Paul E. Lammert and Vincent H. Crespi and Angel Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108174},
year = {2009}
}
备注
4 pages RevTeX, 4 PostScript figures