理解金属上石墨烯电子结构的通用方法
材料科学
2014-08-08 v1
摘要
本手稿提出了一种通用方法，用于理解金属上石墨烯的成键机制与电子结构之间的联系。为验证其有效性，我们考虑了 Al(111) 和 Ni(111) 上“弱”结合和“强”结合石墨烯的两个极限情况，其中 Dirac 锥分别得以保留或完全破坏。此外，在 proposed approach 的框架下，我们完全理解了中间系统 graphene/Cu(111) 的电子结构，即掺杂水平、杂化效应以及 Dirac 点处的能隙形成。这项工作总结了关于石墨烯/金属系统中成键强度与价带修饰之间联系的长期争论，并为有效调控费米能级附近石墨烯的电子态铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1405.2556,
title = {General approach to the understanding the electronic structure of graphene on metals},
author = {E. N. Voloshina and Yu. S. Dedkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2556},
year = {2014}
}
备注
manuscript and supplementary material