应变对石墨烯光学电导率的影响

在紧束缚近似下，我们研究了单层石墨烯的电子能带结构和光学电导率对施加的单轴应变模量和方向的依赖性。虽然狄拉克锥近似（尽管锥体发生形变）在足够小的应变下是稳健的，但沿特定方向的能带色散线性度被破坏，这对应于各向异性的大质量低能激发的产生。只要锥近似成立，我们就恢复了低能态密度的线性行为，而对于几乎所有的通用应变方向，当应变足够强时，能带隙会打开。这可以用电子拓扑转变来解释，该转变对应于费米线拓扑结构的变化，以及两个不等价狄拉克点随应变的合并。我们提出，这些特征可以通过可见光范围内纵向光学电导率随应变模量、方向以及场取向的频率依赖性来观测到。