石墨烯应变结中的导通隙：方向依赖性

最近的一项研究 [Nguyen et al., Nanotechnol. \textbf{25}, 165201 (2014)] 表明，无应变/应变石墨烯结是改善石墨烯晶体管性能的有希望的候选者，而石墨烯晶体管的性能通常受限于石墨烯的无隙特性。尽管应变石墨烯的能带隙仍然为零，但由于应变引起的石墨烯晶格变形导致 \textbf{\emph{k}} 空间中 Dirac 点的移动，在仅百分之几的应变下，应变结中可能出现几百 meV 的有限导通隙。然而，由于它本质上取决于 Dirac 点移动的大小，该导通隙强烈依赖于施加应变的方向和输运方向。在本工作中，系统地研究了导通隙特性与这些量的关系，并对结果进行了仔细分析。我们的研究为今后在电子应用中利用石墨烯应变结提供了有用信息。