石墨炔中应变诱导的类 Dirac 锥电子结构与半导体 - 半金属转变
材料科学
2017-09-13 v1
摘要
通过结合第一性原理计算与紧束缚近似，发现了石墨炔 (graphdiyne) 中应变诱导的半导体 - 半金属转变。研究表明，随着双轴拉伸应变的增加，石墨炔的带隙从 0.47 eV 增加到 1.39 eV；而随着单轴拉伸应变的增加，带隙从 0.47 eV 减小至接近零，并观察到类 Dirac 锥电子结构。单轴应变引起的石墨炔电子结构变化源于几何对称性的破缺，从而解除了能带的简并。石墨炔在应变下的性质显示出与石墨烯显著不同的特征。
引用
@article{arxiv.1211.3188,
title = {Strain-induced Dirac cone-like electronic structures and semiconductor-semimetal transition in graphdiyne},
author = {Hui-Juan Cui and Xian-Lei Sheng and Qing-Bo Yan and Qing-Rong Zheng and Gang Su},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3188},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 7 figures