有隙石墨烯上的单轴应变
介观与纳米尺度物理
2010-05-11 v2 材料科学
摘要
我们研究了单轴应变对有隙石墨烯电子能带结构的影响。我们考虑了两种类型的有隙石墨烯:一种打破了两个三角子晶格之间的对称性(交错模型),另一种交替了蜂窝晶格上的键(Kekulé模型)。在交错模型中,低于临界值的应变仅导致带隙位置的移动。在Kekulé模型中,随着应变的增加,带隙位置最初被钉扎在布里渊区的一个角上,同时其宽度减小,并且在带隙闭合后,接触点的位置开始移动。对于有隙石墨烯的紧束缚和狄拉克费米子描述,我们都得到了解析和数值结果。
引用
@article{arxiv.0909.5052,
title = {Uniaxial strain on gapped graphene},
author = {M. Farjam and H. Rafii-Tabar},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.5052},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 6 figures, published version