六方氮化硼上自发应变石墨烯的电子结构
介观与纳米尺度物理
2014-10-08 v1
摘要
六方氮化硼衬底已被证明能显著改善石墨烯的电学性质。最近观察到，当两个蜂窝状晶体接近完美对齐时，由于莫尔条纹粘附势景观，石墨烯中会产生强烈的晶格畸变。同时，狄拉克点处会打开一个能隙。在此，我们推导了一个针对接近与衬底对齐的石墨烯载流子的简单低能模型，考虑了平衡态下的自发应变、赝规范场和形变势。我们根据物理参数对修正后的能带结构、能隙、局域和全局态密度以及能带拓扑进行了详细表征。我们表明，整体电子结构受到自发应变的强烈修饰。
引用
@article{arxiv.1406.5999,
title = {Electronic structure of spontaneously strained graphene on hexagonal Boron Nitride},
author = {Pablo San-Jose and Ángel Gutiérrez and Mauricio Sturla and Francisco Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5999},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 4 figures