石墨烯及基于石墨烯器件的纳米级应变工程
介观与纳米尺度物理
2016-08-17 v1
摘要
纳米材料中的结构畸变可诱导其电子性质的剧烈变化。这种情况在石墨烯中表现明显，石墨烯是一种仅一个原子层厚的碳原子的二维蜂窝状结构。特别地，应变石墨烯可导致充电效应和伪磁场，从而使得完美石墨烯晶格上的受控应变可被定制以产生所需的电子性质。在此我们描述石墨烯电子性质应变工程的理论基础，然后提供单层石墨烯中应变诱导伪磁场和充电效应的实验证据。我们进一步通过理论模拟和纳米加工技术展示了纳米级应变工程用于基于石墨烯器件的可行性。
引用
@article{arxiv.1511.07631,
title = {Nano-scale strain engineering of graphene and graphene-based devices},
author = {N. -C. Yeh and C. -C. Hsu and M. L. Teague and J. -Q. Wang and D. A. Boyd and C. -C. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07631},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 13 figures. Accepted for publication in Acta Mechanica Sinica (2015)