应变诱导的赝磁场及充电效应对化学气相沉积生长石墨烯的影响
强关联电子
2012-01-27 v2
摘要
利用扫描隧道显微镜和扫描隧道谱学，研究了化学气相沉积法在铜上生长的石墨烯的原子级分辨成像和谱学特征。对于保留在铜基底上的化学气相沉积生长石墨烯，单层碳结构呈现波纹状且表现出强应变，不同区域具有不同的晶格结构和电子态密度。特别地，沿不同晶格结构边界出现脊状突起，并表现出过剩充电效应。此外，大且非均匀的应变诱导了高达约 50 特斯拉的赝磁场，这体现在石墨烯态密度中的整数和分数量子霍尔效应。相比之下，对于化学气相沉积生长后从铜转移到二氧化硅基底的石墨烯，整体平均应变减小，相应的充电效应和赝磁场也减弱，但靠近地形脊状突起的样品区域除外。这些发现表明，通过合理设计基底和生长条件，可以对石墨烯的电子态进行可行的“应变工程”。
引用
@article{arxiv.1009.0081,
title = {Strain-induced pseudo-magnetic fields and charging effects on CVD-grown graphene},
author = {N. -C. Yeh and M. L. Teague and S. Yeom and B. L. Standley and D. A. Boyd and M. W. Bockrath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0081},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 9 figures. Accepted for publication in a special issue of Surface Science: "Graphene Surfaces and Interfaces". Contac author: Nai-Chang Yeh ([email protected])