铜基底上 CVD 石墨烯生长过程中多层石墨烯斑块的抑制
介观与纳米尺度物理
2014-02-11 v1 材料科学
摘要
通过限制铜表面缺陷处的碳偏析，一种用于单层石墨烯生长的脉冲化学气相沉积方法被证明能够抑制少层区域的形成，从而在厘米尺度上获得完全单层的均匀石墨烯。将脉冲生长的石墨烯转移至氧化硅上后制得的石墨烯场效应器件，其迁移率超过 5000 cm^2.V^-1.s^-1。
引用
@article{arxiv.1205.1337,
title = {Suppression of Multilayer Graphene Patches during CVD Graphene growth on Copper},
author = {Zheng Han and Amina Kimouche and Adrien Allain and Hadi Arjmandi-Tash and Antoine Reserbat-Plantey and Sébastien Pairis and Valérie Reita and Nedjma Bendiab and Johann Coraux and Vincent Bouchiat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1337},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures