高迁移率大单晶石墨烯的确定性图案化生长：迈向晶圆级集成
材料科学
2016-11-04 v1
摘要
我们展示了利用具有铬成核位点的预图案化铜衬底，通过化学气相沉积(CVD)快速确定性（种子）生长大尺寸石墨烯单晶。生长出可达数百微米、周期高达1 mm的石墨烯单晶阵列。采用对齐且无污染的半干转移法将石墨烯转移至目标衬底。合成石墨烯的高质量通过拉曼光谱和输运测量得到证实，当转移至六方氮化硼表面时展现出21 000 cm2/V s的室温载流子迁移率。通过根据所需器件几何结构定制大单晶的成核，将能够制备基于单晶石墨烯的复杂器件架构，从而为CVD石墨烯在晶圆级制造中的应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.1611.00923,
title = {Deterministic patterned growth of high-mobility large-crystal graphene: a path towards wafer scale integration},
author = {Vaidotas Miseikis and Federica Bianco and Vittorio Pellegrini and Marco Romagnoli and Camilla Coletti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.00923},
year = {2016}
}
备注
6 pages