大畴石墨烯
材料科学
2010-10-20 v1
摘要
由于易于生长大面积薄膜，化学气相沉积法生长石墨烯近来备受关注，但大畴（即大晶粒尺寸）石墨烯的生长尚未见报道。在这篇短文中，我们报道了一种化学气相沉积工艺，该工艺通过极低压化学气相沉积（低于50毫托）和极低前驱体流速，在约1000°C的高温下，以甲烷为碳源在铜箔包覆内部生长出畴尺寸达数百微米的石墨烯。大畴石墨烯薄膜的载流子迁移率高达21,000 cm²/Vs。
引用
@article{arxiv.1010.3903,
title = {Large domain graphene},
author = {Xuesong Li and Carl W. Magnuson and Archana Venugopal and Eric M. Vogel and Rodney S. Ruoff and Luigi Colombo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3903},
year = {2010}
}