硅烷催化六方氮化硼上大面积单晶石墨烯的快速生长
材料科学
2015-03-11 v1
摘要
在介电衬底上直接生长高质量、大尺寸单晶石墨烯畴对电子学和光电子学应用至关重要。传统上，在介电衬底上生长的石墨烯畴通常仅约1 nm，生长速率约为1 nm/min或更低，主要原因是缺乏催化剂。本文表明，硅烷作为气态催化剂，能够将石墨烯生长速率提升至约1 um/min，从而促进通过化学气相沉积在六方氮化硼上合成尺寸高达20 um的石墨烯畴。霍尔测量表明，样品在室温下的迁移率达到20,000 cm2/Vs，这是CVD生长的石墨烯中最好的水平之一。结合催化CVD和超平坦介电衬底的双重优势，气态催化剂辅助CVD为合成高质量石墨烯用于器件应用铺平了道路，同时避免了转移过程。
引用
@article{arxiv.1503.02806,
title = {Silane-Catalyzed Fast Growth of Large Single-Crystalline Graphene on Hexagonal Boron Nitride},
author = {Shujie Tang and Haomin Wang and Hui Shan Wang and Qiujuan Sun and Xiuyun Zhang and Chunxiao Cong and Hong Xie and Xiaoyu Liu and Xiaohao Zhou and Fuqiang Huang and Xiaoshuang Chen and Ting Yu and Feng Ding and Xiaoming Xie and Mianheng Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02806},
year = {2015}
}
备注
21 pages, 5 figures, Supplementary information