为毫米级石墨烯片选择单一取向
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们利用低能电子显微镜(LEEM)和光发射电子显微镜(PEEM)研究并改进了通过化学气相沉积(CVD)在Ir(111)上生长的石墨烯薄膜的质量。高温CVD已能制备出均匀且单原子厚度的石墨烯片。除了与衬底取向一致的畴区外，还会生长其他旋转变体。利用旋转变体更快的生长和刻蚀速率进行循环生长，可获得由99%取向一致畴区组成的薄膜。在CVD之前用高密度石墨烯核预覆盖衬底，可制备出延伸数毫米的纯取向一致畴区薄膜。此类薄膜可用于制备催化或纳米磁学领域的团簇-石墨烯杂化材料，并有望与剥离技术结合，制造出高质量的石墨烯基电子器件。
引用
@article{arxiv.0907.3580,
title = {Selecting a single orientation for millimeter sized graphene sheets},
author = {R. van Gastel and A. T. N'Diaye and D. Wall and J. Coraux and C. Busse and F. -J. Meyer zu Heringdorf and N. Buckanie and M. Horn von Hoegen and T. Michely and B. Poelsema},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.3580},
year = {2015}
}