化学气相沉积生长石墨烯中的畴（晶粒）界及孪晶样结构的证据
材料科学
2010-10-20 v1
摘要
理解和工程化化学气相沉积单层石墨烯中的畴界对于改善其性能至关重要。本研究结合了透射电子显微镜技术，包括选区电子衍射、高分辨透射电子显微镜和暗场透射电子显微镜，以研究畴界取向角分布以及畴界处碳键的性质。本报告为从根本上理解这些畴界迈出了重要的第一步。结果表明，在本研究生长的石墨烯中，测得的46个失配角均介于11-30度之间（除一个为7度外）。高分辨透射电子显微镜图像显示，几乎所有边界区域都存在吸附物。当对边界成像时，在边界处观察到缺陷（悬挂键），这很可能导致吸附物在这些边界处结合。暗场透射电子显微镜图像也显示了“孪晶样”边界的存在。
引用
@article{arxiv.1010.3905,
title = {Domain (Grain) Boundaries and Evidence of Twin Like Structures in CVD Grown Graphene},
author = {Jinho An and Edgar Voelkl and Jiwon Suk and Xuesong Li and Carl W. Magnuson and Lianfeng Fu and Peter Tiemeijer and Maarten Bischoff and Bert Freitag and Elmira Popova and Rodney S. Ruoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3905},
year = {2010}
}