石墨烯中的氢化晶界
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
我们通过第一性原理计算研究了具有不同晶界缺陷的氢化石墨烯结构的电子与结构性质。我们的总能量结果表明，单个 H 的吸附在晶界缺陷处更为稳定。我们研究了氢吸附后晶界的电子结构。进一步的总能量计算表明，两个 H 吸附在两个相邻碳原子上形成石墨烷的基本单元，这在缺陷区域更为稳定。因此，我们预期这些扩展缺陷将作为在石墨烯区域内嵌入的窄石墨烷条带形成的成核区域。
引用
@article{arxiv.1103.4315,
title = {Hydrogenated grain boundaries in graphene},
author = {W. H. Brito and R. Kagimura and R. H. Miwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4315},
year = {2015}
}