石墨烯中依赖应变与吸附的电子态及输运或局域化
介观与纳米尺度物理
2018-07-02 v1
摘要
本章推广了关于单轴应变与吸附对不同构型缺陷(点缺陷)石墨烯中电子态及电荷输运或局域化影响的结果:共振(中性)吸附原子、含氧或含氢分子或官能团、空位或替位原子、带电杂质原子或分子,以及畸变。为观测石墨烯-吸附分子体系的电子性质,我们在宽温区对氧化石墨烯应用电子顺磁共振技术,以此作为理解其他活性碳电输运性质的良佳基础。所应用技术得以观测可能的金属-绝缘体转变与吸附泵浦效应,并依据颗粒金属模型对结果进行讨论。电子与输运性质在紧束缚模型及 Kubo-Greenwood 量子力学形式框架下计算。依据电子密度与位点类型,关联且有序吸附情况下的电导率相较随机分布情形高出数十倍。对于单轴应变石墨烯,点缺陷依其构型对带隙开启起抑制或促进作用。在缺陷有序与锯齿形变形共同作用下,带隙行为随应变呈非单调变化。局域化载流子(自旋)数量与负责形成势垒并进而引发局域化效应的吸附中心含量相关。石墨烯边缘的物理与化学状态,尤其在沿其中一边单轴应变时,对石墨烯基材料的电输运现象起关键作用。
引用
@article{arxiv.1712.03424,
title = {Strain- and Adsorption-Dependent Electronic States and Transport or Localization in Graphene},
author = {Taras M. Radchenko and Igor Yu. Sagalianov and Valentyn A. Tatarenko and Yuriy I. Prylutskyy and Paweł Szroeder and Mateusz Kempiński and Wojciech Kempiński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.03424},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 10 figures