弱杂质对单轴应变石墨烯电导率的影响
介观与纳米尺度物理
2017-12-27 v1
摘要
我们研究的主要目标是考察形变(大到足以打开非零带隙)对含杂质石墨烯的电输运性质的影响。为此,我们实现了一种模拟程序包,可对承受两类单轴应变——沿锯齿形边缘与扶椅形边缘——的石墨烯样品进行电导率与迁移率的数值计算。所有数值计算均在 Kubo-Greenwood 方法结合紧束缚模型下完成。输运性质的研究针对由弱短程散射势描述的杂质原子存在的情况。我们考虑了多种形变值。单轴应变充当电子散射的附加源,由此可强烈影响石墨烯的迁移率与电导率,并引入其电子输运性质的各向异性。
引用
@article{arxiv.1712.08843,
title = {Effect of weak impurities on conductivity of uniaxially strained graphene},
author = {Igor Yu. Sagalianov and Yuriy I. Prylutskyy and Taras M. Radchenko and Valentyn A. Tatarenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.08843},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 1 figure (a, b, c, d), 2017 IEEE International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering (YSF)