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二维石墨烯中带电杂质散射理论

介观与纳米尺度物理 2009-05-29 v1

作者: S. Adam , E. H. Hwang , E. Rossi , S. Das Sarma

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摘要

我们综述了石墨烯附近带电杂质的物理。库仑杂质的长程特性既影响基态密度分布的性质，也影响石墨烯的输运性质。我们讨论了单个库仑杂质的屏蔽以及存在许多随机分布杂质时石墨烯的系综平均密度分布。最后，我们讨论了在低载流子密度和高载流子密度下，由带电杂质散射导致的石墨烯输运性质。

关键词

带电杂质散射石墨烯库仑杂质屏蔽输运性质

引用

@article{arxiv.0812.1795,
  title  = {Theory of charged impurity scattering in two dimensional graphene},
  author = {S. Adam and E. H. Hwang and E. Rossi and S. Das Sarma},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0812.1795},
  year   = {2009}
}

备注

Invited review for the graphene special issue of Solid State Communications. Related papers available at http://www.physics.umd.edu/cmtc/