库仑散射对石墨烯电导率的影响

讨论了场效应晶体管结构中库仑散射对石墨烯电导率的影响。在宽栅极电压范围内，考虑了粒子间散射（电子-电子、空穴-空穴和电子-空穴）以及带电缺陷上的散射。结果表明，石墨烯的本征电导率（电子和空穴密度完全相等的纯双极性系统）由强电子-空穴散射决定。它具有与温度无关的普适值。我们基于标度理论给出了显式推导。当由施加的栅极电压引起的电子和空穴密度存在微小差异时，电导率由强电子-空穴散射和弱外部散射（缺陷或声子散射）共同决定。我们提出带电缺陷的密度（缺陷占据率）依赖于费米能，以解释实验中观察到的电导率对相当高栅极电压的亚线性依赖关系。我们还消除了沉积和悬空石墨烯结构中关于石墨烯电导率的实验数据之间的矛盾。