扭转双层石墨烯中杂质散射诱导的载流子输运
介观与纳米尺度物理
2020-03-23 v3
摘要
我们在小扭转角（此时石墨烯费米速度被强烈抑制）下理论计算了扭转双层石墨烯中杂质散射诱导的电阻率。在玻尔兹曼理论弛豫时间近似下，我们将长程库仑散射和短程缺陷散射作为载流子密度、扭转角和温度的函数加以考虑。对于实验相关的无序，杂质散射在高（低）温下贡献的电阻率可与声子散射贡献相比拟（远大于）。减小扭转角导致更大的电阻率，且一般而言，电阻率随温度（载流子密度）升高而增大（减小）。理论中纳入范霍夫奇点导致在较高密度下电阻率急剧增加，此时化学势接近范霍夫奇点，从而在电阻率中导致表观的密度依赖平台型结构，这已在近期输运实验中观察到。我们还表明，在小扭转角下扭转双层石墨烯中马西森定则被强烈违背。
引用
@article{arxiv.1907.02856,
title = {Impurity scattering induced carrier transport in twisted bilayer graphene},
author = {E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02856},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 6 figures (Expanded version for publication)