石墨烯中的电子输运：包含带中态的半经典方法
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
利用半经典 Boltzmann 理论，我们计算了电导率随载流子密度的变化关系。通常情况下，我们考虑了带电杂质的散射，但得出结论认为，估算的杂质密度过低，无法解释实验观测到的迁移率。因此，我们提出了一种涉及带中态的额外散射机制，该机制导致弛豫时间具有与带电杂质相似的 k 依赖性。新的散射机制可以解释实验发现，例如电导率随栅极电压的亚线性行为以及清洁样品中最小电导率的增加。我们还讨论了由声子引起的温度依赖性散射。
引用
@article{arxiv.0707.3004,
title = {Electronic transport in graphene: A semi-classical approach including midgap states},
author = {T. Stauber and N. M. R. Peres and F. Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3004},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 4 figures