石墨烯及其双层结构中的巨大本征载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2008-01-07 v2 材料科学
摘要
我们研究了石墨烯及其双层结构中电子输运的温度依赖性，发现极低的电子 - 声子散射率设定了室温下可能实现的电荷载流子迁移率的基本极限。我们的测量表明，如果消除外在无序，可实现显著高于 200,000 cm2/Vs 的迁移率。在约 200K 以上观察到的电阻率急剧（类阈值）增加出乎意料，但可以在波纹石墨烯片模型中得到定性理解，该模型中散射发生于波纹内弯曲声子上。
引用
@article{arxiv.0710.5304,
title = {Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer},
author = {S. V. Morozov and K. S. Novoselov and M. I. Katsnelson and F. Schedin and D. C. Elias and J. A. Jaszczak and A. K. Geim},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.5304},
year = {2008}
}