二维外征石墨烯中受声子散射限制的载流子迁移率

我们理论计算了外征（即通过栅极调控或掺杂具有可调且有限载流子密度）二维石墨烯层中受声子散射限制的电子迁移率，将其表示为温度 $(T)$ 和载流子密度 $(n)$ 的函数。我们发现，对于 $T\agt 50 K$，受声子限制的电阻率 $\rho_{ph}(T)$ 与温度呈线性关系，室温下的本征迁移率可达 $10^5$ cm$^2/Vs$ 以上。我们还讨论了低温下的 Bloch-Gr"{u}neisen 行为，其中对于未屏蔽的电子 - 声子耦合，$\rho_{ph}(T) \sim T^4$。