二维空穴输运中声子和杂质散射的相互作用
介观与纳米尺度物理
2012-08-15 v1
摘要
我们研究了二维p-GaAs系统的温度相关输运性质，同时考虑了空穴-声子和空穴-杂质散射效应。通过分析p-GaAs在10 K < T < 100 K温度范围内的空穴迁移率数据，我们估计了空穴-声子耦合的适当形变势的值。由于空穴-声子和空穴-杂质散射之间的相互作用，计算出的温度相关电阻率显示出有趣的非单调行为。特别地，我们发现存在一个温度范围（通常为2 K < T < 10 K），在该范围内，由于来自杂质和声子的温度相关电阻散射贡献之间的微妙抵消，计算出的电阻率变得与温度无关。这种电阻率饱和状态出现在低载流子密度下，此时由声子散射引起的电阻率增加补偿了由非简并效应引起的电阻率下降。这种与温度无关的平坦电阻率区域在实验上是可及的，并且可能已在最近的实验中被观测到。
引用
@article{arxiv.1203.1929,
title = {Interplay between phonon and impurity scattering in 2D hole transport},
author = {Hongki Min and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1929},
year = {2012}
}
备注
11 pages, 8 figures