在超高载流子密度下控制石墨烯中的电子-声子相互作用
介观与纳米尺度物理
2010-12-14 v1 材料科学
摘要
我们报告了在不同载流子密度 下石墨烯中依赖于温度的电子输运。采用电解栅极,我们证明 可以调节到高达 4cm,无论是对于电子还是空穴。在高温极限下,测量的样品电阻率 随温度 线性增加,表明准经典声子分布负责电子散射。随着 降低,电阻率下降得更快,遵循 。这种低温行为可以用 Bloch-Gr"{u}neisen 模型描述,该模型考虑了石墨烯中二维声学声子的量子分布。我们绘制了定义两个不同区域之间交叉的特征温度 的密度依赖性,并表明,对于所有 , 作为归一化温度 的普适函数缩放。
引用
@article{arxiv.1009.2988,
title = {Controlling electron-phonon interactions in graphene at ultra high carrier densities},
author = {Dmitri K. Efetov and Philip Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2988},
year = {2010}
}