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在超高载流子密度下控制石墨烯中的电子-声子相互作用

介观与纳米尺度物理 2010-12-14 v1 材料科学

摘要

我们报告了在不同载流子密度 nn 下石墨烯中依赖于温度的电子输运。采用电解栅极,我们证明 nn 可以调节到高达 4×1014\times10^{14}cm2^{-2},无论是对于电子还是空穴。在高温极限下,测量的样品电阻率 ρ\rho 随温度 TT 线性增加,表明准经典声子分布负责电子散射。随着 TT 降低,电阻率下降得更快,遵循 ρ(T)T4\rho (T) \sim T^{4}。这种低温行为可以用 Bloch-Gr"{u}neisen 模型描述,该模型考虑了石墨烯中二维声学声子的量子分布。我们绘制了定义两个不同区域之间交叉的特征温度 ΘBG\Theta_{BG} 的密度依赖性,并表明,对于所有 nnρ(T)\rho(T) 作为归一化温度 T/ΘBGT/\Theta_{BG} 的普适函数缩放。

关键词

引用

@article{arxiv.1009.2988,
  title  = {Controlling electron-phonon interactions in graphene at ultra high carrier densities},
  author = {Dmitri K. Efetov and Philip Kim},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2988},
  year   = {2010}
}