石墨烯中电阻涨落与电导率温度依赖性的关联
材料科学
2010-01-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
单层石墨烯电阻R(T)的弱温度依赖性表明其电荷载流子具有极高的本征迁移率。重要的复杂因素包括存在强烈改变电荷输运的可移动散射中心，以及存在强烈的介观电导涨落——在石墨烯中，这种涨落会持续到相对较高的温度。在本快报中，我们研究了石墨烯薄片在温度降至70 K以下时发现的令人惊讶的多样化电阻变化。我们提出，这些R(T)的变化源于导致电阻涨落的散射电子波干涉的温度依赖性。利用场效应晶体管配置，我们通过测量R(T)并调谐到对应于电阻涨落特定特征的不同栅极电压，详细验证了这一解释。我们提出了在低和高电荷载流子密度下模拟R(T)的简单表达式。
引用
@article{arxiv.0903.1334,
title = {Correlation between resistance fluctuations and temperature dependence of conductivity in graphene},
author = {Viera Skakalova and Alan B. Kaiser and Jai Seung Yoo and Dirk Obergfell and Siegmar Roth},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1334},
year = {2010}
}