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双层石墨烯中由弯曲声子导致的电阻率温度依赖性

材料科学 2011-08-04 v1 软凝聚态物质

摘要

我们研究了掺杂悬浮双层石墨烯中面外(弯曲)声子对电子的散射。我们发现双层膜的行为与其单层类似物定性一致。在双层中,不同的电子结构与不同的电子-声子耦合相结合,产生了相同的电阻率参数依赖性,特别是相同的温度TT行为。与单层类似,在无应变的情况下,弯曲声子主导了电阻率的声子贡献,此时获得了与密度无关的迁移率。这种贡献被张力强烈抑制,而在应变样品中,面内声子成为主导贡献。在定量差异中,我们发现了一个重要区别:双层石墨烯的室温迁移率显著高于单层。定量差异的起源已被揭示。

关键词

引用

@article{arxiv.1102.0807,
  title  = {Temperature dependent resistivity in bilayer graphene due to flexural phonons},
  author = {H. Ochoa and Eduardo V. Castro and M. I. Katsnelson and F. Guinea},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0807},
  year   = {2011}
}

备注

20 pages, 4 figures