悬浮石墨烯的电阻率温度依赖性

本文研究了电子-声子对悬浮单层石墨烯电阻率的贡献。我们探讨了不同温度区间内的面内声子和弯曲声子。重点研究了由于电子与石墨烯膜中弹性形变相互作用而产生的本征电子-声子耦合。讨论了屏蔽形变势与赝规范场耦合之间的竞争，以及悬浮薄片中张力的作用。在无张力情况下，弯曲声子在任意温度 $T$ 下主导电阻率的声子贡献，在低温和高温下分别呈现 $T^{5/2}_{}$ 和 $T^{2}_{}$ 依赖性。样品特定的张力抑制了弯曲声子的贡献，导致面内模式产生线性温度依赖性。我们将结果与近期实验进行了比较。