弯曲声子导致的悬浮石墨烯中电子质量极限
材料科学
2011-02-08 v1 软凝聚态物质
摘要
本文研究了悬浮石墨烯样品中迁移率的温度依赖性。在洁净样品中，弯曲声子在温度 K 时成为主导散射机制，且电阻率随 呈二次方增长。在室温 下，弯曲声子将本征迁移率限制在仅几 。施加应变或将石墨烯置于基底上可以消除其影响。
引用
@article{arxiv.1008.2522,
title = {Limits on electron quality in suspended graphene due to flexural phonons},
author = {E. V. Castro and H. Ochoa and M. I. Katsnelson and R. V. Gorbachev and D. C. Elias and K. S. Novoselov and A. K. Geim and F. Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2522},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures