石墨烯中静电门控诱导的弯曲声子散射
介观与纳米尺度物理
2017-02-01 v2
摘要
石墨烯具有极高的载流子迁移率，部分原因在于其平面镜面对称性抑制了由高占据的声学弯曲声子引起的散射。石墨烯器件的静电门控会破坏平面镜面对称性，从而产生与弯曲声子的耦合机制。我们使用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算和玻尔兹曼方程，研究了几种门控几何形状和介电环境下门控诱导的单声子散射对迁移率的影响。我们证明这种散射机制可以成为限制迁移率的因素，并展示了迁移率的载流子密度和温度标度如何依赖于静电环境。我们的发现可以解释从实验中提取的面内声学声子的高形变势，并进一步表明器件对称性与最终迁移率之间存在直接关系。
引用
@article{arxiv.1609.05852,
title = {Flexural phonon scattering induced by electrostatic gating in graphene},
author = {Tue Gunst and Kristen Kaasbjerg and Mads Brandbyge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.05852},
year = {2017}
}
备注
Accepted at Physical Review Letters