二维半导体电子输运中面内与弯曲声子的相互作用
材料科学
2019-08-14 v2 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
面外振动被视为在低载流子浓度下限制悬浮二维材料本征载流子迁移率的主导因素。面内与弯曲声子模式之间的非谐耦合通常被排除在考虑之外。在此我们提出一种电子-声子散射理论，其中系统地考虑了声学声子之间的非谐耦合。我们将该理论应用于典型的 V 族二维半导体：六方磷、砷和锑。我们发现弯曲模式的作用因其与面内模式的耦合而被本质抑制。在掺杂低于 10 cm 时，迁移率降低不超过 30%，且几乎与浓度无关。我们的结果表明，与面内声子相比，弯曲声子在二维半导体电子输运中即便在低载流子浓度下也远不重要。
引用
@article{arxiv.1902.09152,
title = {Interplay between in-plane and flexural phonons in electronic transport of two-dimensional semiconductors},
author = {A. N. Rudenko and A. V. Lugovskoi and A. Mauri and Guodong Yu and Shengjun Yuan and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.09152},
year = {2019}
}
备注
Final version, 11 pages, 5 figures