二维半导体的迁移率各向异性
计算物理
2016-12-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用形变势理论，从理论上研究了纵向声学 (LA) 声子散射下各向异性二维 (2D) 半导体的载流子迁移率。基于弛豫时间近似下的 Boltzmann 方程，推导出了本征各向异性迁移率的解析公式，该公式表明有效质量对迁移率各向异性的影响大于形变势常数和弹性模量的影响。收集了各种各向异性 2D 材料（黑磷、Hittorf 磷、BCN、MXene、TiS、GeCH）的参数以计算其迁移率各向异性。结果表明，过去高估了各向异性比率。
引用
@article{arxiv.1609.06416,
title = {Mobility anisotropy of two-dimensional semiconductors},
author = {Haifeng Lang and Shuqing Zhang and Zhirong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06416},
year = {2016}
}