单层磷烯中各向异性带电杂质限制的载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2014-12-11 v1
摘要
由于环境中远程带电杂质的散射,原子级薄的 2D 材料的室温载流子迁移率通常远低于声子散射所决定的内禀极限。我们模拟了裸露和封装的单层磷烯中带电杂质限制的载流子迁移率 。我们发现载流子迁移率具有显著的温度依赖性(),这源于电荷屏蔽的温度可变性,并随晶向而变化。有效质量的各向异性导致了各向异性的载流子迁移率,其中扶手椅方向的迁移率比锯齿形方向大约一个数量级。特别是,这种迁移率各向异性在低温和高载流子密度下得到增强。在用高 覆盖层封装的情况下,迁移率增加了多达一个数量级,尽管其温度依赖性和各向异性有所降低。
引用
@article{arxiv.1412.3211,
title = {Anisotropic charged impurity-limited carrier mobility in monolayer phosphorene},
author = {Zhun-Yong Ong and Gang Zhang and Yong Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.3211},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 4 figures