多层金属二硫化物MoS2中的高本征迁移率和超快载流子动力学
材料科学
2014-12-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
金属二硫化物中载流子迁移率的最终限制以及载流子弛豫相关的动力学尚不清楚。我们通过光泵太赫兹探针光谱测量了多层二硫化物MoS2的频率相关电导率。我们发现这种材料在低温下的迁移率接近4200 cm2/Vs。散射的温度依赖性表明，迁移率比之前报道的MoS2高一个数量级，其本征限制来自太赫兹频率下的声学声子散射。我们对载流子弛豫的测量揭示了皮秒冷却时间，随后是持续数十纳秒的复合，主要由缺陷处的俄歇散射主导。我们的结果为理解和评估基于MoS2的电子和光电器件的性能提供了有用的背景。
引用
@article{arxiv.1408.2562,
title = {High Intrinsic Mobility and Ultrafast Carrier Dynamics in Multilayer Metal Dichalcogenide MoS2},
author = {Jared H. Strait and Parinita Nene and Farhan Rana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.2562},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 8 figures