MoS$_2$晶体管中因侵入式电压探针导致的迁移率高估
介观与纳米尺度物理
2022-06-28 v1
摘要
提高二维（2D）半导体的载流子迁移率备受追求。最近，Ng 等人 [1] 报道了在鼓起氮化硅（SiN）衬底上的波纹二硫化钼（MoS）晶体管，其电子迁移率高达约 900 cmVs。高迁移率值被归因于波纹 MoS 沟道中晶格畸变对电子-声子散射的抑制。尽管结果引人注目，本 Matters Arising 表明文献 [1] 中的迁移率值很可能因四探针测量装置中的侵入式电压探针而被高估，这在电压探针附近引起正的阈值电压偏移，并人为高估了表观场效应迁移率。
引用
@article{arxiv.2206.12787,
title = {Mobility overestimation in MoS$_2$ transistors due to invasive voltage probes},
author = {Peng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.12787},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 2 figures