回复：波纹MoS$_2$晶体管中因侵入式电压探针导致迁移率高估
材料科学
2023-07-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在本回复中，我们补充了新的实验结果并证实，波纹-MoS中观察到的非线性（导致迁移率扭折）是无序体系的内在属性，而非接触效应（侵入式探针）或其他器件问题。注意到Peng Wu的假设基于高度有序的理想体系，其转移曲线应为线性，且载流子密度被假定为常数。因此，Wu的模型对无序体系过于简化，并忽略了依赖于载流子密度的散射物理。故其从根本上不适用于我们的波纹-MoS，并导致了错误结论。
引用
@article{arxiv.2307.07787,
title = {Reply to: Mobility overestimation in MoS$_2$ transistors due to invasive voltage probes},
author = {Hong Kuan Ng and Du Xiang and Ady Suwardi and Guangwei Hu and Ke Yang and Yunshan Zhao and Tao Liu and Zhonghan Cao and Huajun Liu and Shisheng Li and Jing Cao and Qiang Zhu and Zhaogang Dong and Chee Kiang Ivan Tan and Dongzhi Chi and Cheng-Wei Qiu and Kedar Hippalgaonkar and Goki Eda and Ming Yang and Jing Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.07787},
year = {2023}
}