MoS2 场效应晶体管中带电杂质散射和闪烁噪声的微观起源

Subhamoy Ghatak; Sumanta Mukherjee; Manish Jain; D. D. Sarma; Arindam Ghosh

MoS2 场效应晶体管中带电杂质散射和闪烁噪声的微观起源

介观与纳米尺度物理 2014-03-14 v1

作者: Subhamoy Ghatak , Sumanta Mukherjee , Manish Jain , D. D. Sarma , Arindam Ghosh

摘要

电荷载流子散射和电输运中的闪烁噪声是限制电子器件性能的核心因素，但它们在基于二硫化钼（MoS $_2$ ）的场效应晶体管中的微观起源仍知之甚少。在此，我们表明，机械剥离的超薄 MoS $_2$ 层中的载流子散射和低频 $1/f$ 噪声均由位于 MoS $_2$ 沟道本身的局域陷阱态决定。这些陷阱态不仅作为库仑散射中心决定了平衡（ $eV< k_BT$ ）和非平衡（ $eV>k_BT$ ）机制下的输运，其中 $V$ 和 $T$ 分别为源漏偏压和温度，而且还与沟道交换载流子以产生电导噪声。通过研究沉积在晶体氮化硼衬底上的 MoS $_2$ 薄膜中的噪声，进一步证实了陷阱态的内部起源。文中还讨论了陷阱态的可能起源和性质。

关键词

MoS2 场效应晶体管带电杂质散射闪烁噪声陷阱态载流子输运 1/f 噪声

引用

@article{arxiv.1403.3333,
  title  = {Microscopic Origin of Charged Impurity Scattering and Flicker Noise in MoS2 field-effect Transistors},
  author = {Subhamoy Ghatak and Sumanta Mukherjee and Manish Jain and D. D. Sarma and Arindam Ghosh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3333},
  year   = {2014}
}

备注

11 pages, 5 figures

MoS2 场效应晶体管中带电杂质散射和闪烁噪声的微观起源

摘要

关键词

引用

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