4H-SiC(0001)/SiO$_2$ 界面电子散射的内禀起源
材料科学
2017-02-01 v1
摘要
我们引入一项第一性原理研究，以阐明 SiC/SiO 界面的载流子散射特性。有趣的是，即使没有电活性缺陷，导带边的电子输运也受到氧引入的显著影响。这种大散射的起源由内部空间态（ISSs）的行为解释。此外，ISSs 的影响大于电活性碳相关缺陷的影响。这一结果表明，在 SiC/SiO 界面发生了一种在传统 Si/SiO 中未考虑的额外散射。
引用
@article{arxiv.1607.04399,
title = {Intrinsic origin of electron scattering at 4H-SiC(0001)/SiO$_2$},
author = {Shigeru Iwase and Christopher James Kirkham and Tomoya Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.04399},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 5 figures