SiC/SiO$_2$ 界面处 O 缺陷与 SiC 堆垛的相互作用
材料科学
2015-08-10 v1
摘要
我们通过第一性原理计算，研究了在存在和不存在热氧化过程中出现的 O 缺陷两种情况下，SiC 堆垛对 4H-SiC/SiO 界面的影响。已知 4H-SiC(0001) 具有两种不同的表面类型，取决于两个晶格位置 或 中哪一个位于表面 [K. Arima 等，Appl. Phys. Lett. 90, 202106 (2007)]。我们发现沿 SiC 导带边存在层间态，其位置随界面类型变化，因此缺陷的影响也随之改变。当 位直接位于界面时，O 缺陷会移除界面导带边态。另一方面，当 位位于界面时，导带边对 O 缺陷的存在不敏感。这些差异将影响 SiC 器件的运行，因为最常用的 SiC 基金属氧化物半导体场效应晶体管依赖于导带的电子结构。
引用
@article{arxiv.1508.01590,
title = {Interplay between O defects and SiC stacking at the SiC/SiO$_2$ interface},
author = {Christopher James Kirkham and Tomoya Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.01590},
year = {2015}
}
备注
16 pages