非晶 SiO$_2$ 及其与 SiC 界面中碳相关缺陷的结构稳定性与能级
材料科学
2018-12-03 v1
摘要
我们报道了利用分子动力学中的熔融-淬火技术系统澄清非晶 SiO 中碳相关缺陷的稳定形式及其能级的密度泛函计算。考虑靠近和远离 SiC/SiO 界面处 O 化学势的位置依赖性，我们确定了碳相关缺陷最丰富的形式：远离界面时，SiO 内部空间中的 CO 或 CO 丰富且它们在电子上无活性；靠近界面时，碳簇集更可能发生，且一种特定单碳缺陷和一种双碳缺陷在 SiC 导带底附近引入能级，从而成为载流子陷阱的候选者。
引用
@article{arxiv.1810.09097,
title = {Structural stability and energy levels of carbon-related defects in amorphous SiO$_2$ and its interface with SiC},
author = {Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09097},
year = {2018}
}
备注
8 figures, to be published in Japanese Journal of Applied Physics