Ge/GeO$_2$界面低界面缺陷密度证据的第一性原理研究
材料科学
2015-05-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们通过第一性原理总能计算，给出了Ge/GeO界面缺陷密度低的证据。比较了Ge/GeO界面和Si/SiO界面中，为释放晶格失配应力而发生的原子发射过程的能量优势。发现由于GeO中键合网络的高柔韧性，Ge/GeO界面的能量优势小于Si/SiO界面。因此，氧化过程中Ge原子发射的抑制导致了Ge/GeO界面电学性能的改善。
引用
@article{arxiv.0904.2474,
title = {First-Principles Study for Evidence of Low Interface Defect Density at Ge/GeO$_2$ Interfaces},
author = {Shoichiro Saito and Takuji Hosoi and Heiji Watanabe and Tomoya Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2474},
year = {2015}
}