Si/SiO$_2$ 和 Ge/GeO$_2$ 界面悬挂键的第一性原理电子结构计算
材料科学
2010-09-07 v2
摘要
通过第一性原理电子结构计算，探索了 Ge/GeO 界面处 Ge 悬挂键 (DBs) 缺乏清晰电子自旋共振信号的证据。比较 Si/SiO 和 Ge/GeO 界面处 DBs 的电子结构，我们发现 Ge-DB 的电子结构与 Si-DB 显著不同；Ge-DB 态不位于 Ge/GeO 界面的能带隙中，而 Si-DB 态则清晰出现。此外，Ge-DB 态的电荷密度分布比 Si-DB 态更广泛。这些特征通过考虑 Ge/GeO 界面键合网络的金属性质以及由于晶格常数失配导致的 Ge/GeO 界面处 Ge 体材料的结构变形来解释。
引用
@article{arxiv.0911.5608,
title = {First-principles electronic-structure calculation of dangling bonds at Si/SiO$_2$ and Ge/GeO$_2$ interfaces},
author = {Tomoya Ono and Shoichiro Saito},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.5608},
year = {2010}
}
备注
12 pages